ເຕັກໂນໂລຊີຄວາມຊົງຈໍາເຊັ່ນ EPROM ແລະ EEPROM ເປັນທີ່ຕ້ອງການໃນການວິວັດທະນາການຂອງລະບົບ digital. ທັງ ສອງ ເປັນ ຊະນິດ ຂອງ ຄວາມ ຊົງ ຈໍາ ທີ່ ບໍ່ ປ່ຽນ ແປງ, ຖືກ ອອກ ແບບ ເພື່ອ ເກັບ ກໍາ ຂໍ້ ມູນ ເຖິງ ແມ່ນ ວ່າ ໄຟ ຖືກ ຖອດ ອອກ, ແຕ່ ມັນ ແຕກ ຕ່າງ ກັນ ໃນ ວິ ທີ ທີ່ ເຂົາ ເຈົ້າ ເກັບ ກໍາ, ລຶບ ແລະ ປັບປຸງ ຂໍ້ ມູນ. ການເຂົ້າໃຈຄວາມແຕກຕ່າງເຫຼົ່ານີ້ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບຜູ້ທີ່ເຮັດວຽກກັບລະບົບຝັງ. ບົດຄວາມນີ້ອະທິບາຍວິທີທີ່ EPROM ແລະ EEPROM ເຮັດວຽກ, ສົມທຽບຄຸນລັກສະນະຂອງມັນ, ແລະຄົ້ນຄວ້າເຖິງຜົນປະໂຫຍດ, ຂໍ້ຈໍາກັດ ແລະ ການນໍາໃຊ້.
ຄ1. EEPROM ແມ່ນຫຍັງ?
ຄ2. EPROM ແມ່ນຫຍັງ?
ຄ3. EPROM vs. EEPROM: ການປຽບທຽບຄຸນລັກສະນະ
ຄ4. ໂຄງສ້າງພາຍໃນ ແລະ ຫຼັກການເຮັດວຽກຂອງ EPROM & EEPROM
ຄ5. ข้อดีແລະข้อเสียຂອງ EEPROM ແລະ EPROM
ຄ6. ການນໍາໃຊ້ EPROM ແລະ EEPROM ໃນເອເລັກໂຕຣນິກ
ຄ7. PROM vs. EPROM vs. EEPROM
ຄ8. EPROM vs. EEPROM vs. Flash Memory
ຄ9. ສະຫລຸບ
ຄ10. ຄໍາຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ [FAQ]
EEPROM ແມ່ນຫຍັງ?
EEPROM ຫມາຍເຖິງ Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. ມັນເປັນຄວາມຊົງຈໍາທີ່ບໍ່ປ່ຽນແປງ, ຫມາຍຄວາມວ່າມັນເກັບຂໍ້ມູນທີ່ເກັບໄວ້ເຖິງແມ່ນວ່າອຸປະກອນຖືກປິດ.
ຜົນປະໂຫຍດຫຼັກຂອງ EEPROM ແມ່ນຄວາມສາມາດໃນການຕັ້ງໂປຣແກຣມໃຫມ່ດ້ວຍໄຟຟ້າ. ຂໍ້ມູນສາມາດຖືກລຶບແລະຂຽນຄືນໂດຍກົງໃນແຜ່ນຫມວດໂດຍໃຊ້ສັນຍານທີ່ຄວບຄຸມ, ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຖອດ chip. ບໍ່ຄືກັບປະເພດ ROM ກ່ອນຫນ້ານີ້ທີ່ຕ້ອງມີການລຶບເຕັມທີ່, EEPROM ສະຫນັບສະຫນູນການລຶບລະດັບ byte, ດັ່ງນັ້ນ bytes ສະເພາະເຈາະຈົງສາມາດປັບປຸງໄດ້ໂດຍບໍ່ລົບກວນຄວາມຊົງຈໍາທີ່ເຫຼືອ.
ສິ່ງນີ້ເຮັດໃຫ້ EEPROM ເຫມາະສົມຫຼາຍສໍາລັບການເກັບຂໍ້ມູນນ້ອຍໆ ແຕ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ ການຕັ້ງຄ່າຕັ້ງຄ່າ, ຄ່າການປະເມີນ ຫຼື parameter firmware ທີ່ອາດຈໍາເປັນຕ້ອງປັບປຸງຫຼາຍເທື່ອໃນລະຫວ່າງວົງຈອນຊີວິດຂອງລະບົບ.
EPROM ແມ່ນຫຍັງ?
EPROM ຫມາຍເຖິງ Erasable Programmable Read-Only Memory. ເຊັ່ນດຽວກັບ EEPROM, ມັນເປັນຄວາມຊົງຈໍາທີ່ບໍ່ປ່ຽນແປງ, ຫມາຍຄວາມວ່າຂໍ້ມູນທີ່ເກັບໄວ້ຍັງຄົງຢູ່ເຖິງແມ່ນວ່າຈະປິດໄຟຟ້າ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍຕາມ, ມັນໃຊ້ວິທີການລຶບທີ່ແຕກຕ່າງກັນເມື່ອສົມທຽບກັບຊະນິດທີ່ລຶບໄດ້ດ້ວຍໄຟຟ້າ.
Chip EPROM ຖືກ ຫໍ່ ດ້ວຍ ປ່ອງຢ້ຽມ ແກ້ວ quartz ທີ່ ເປີດ ໃຫ້ ເຫັນ silicon ຢູ່ ຂ້າງ ໃນ. ເມື່ອໄດ້ຮັບແສງແດດ ultraviolet (UV) ປະລິມານທີ່ເກັບໄວ້ໃນຈຸລັງຄວາມຊົງຈໍາຈະຖືກປ່ອຍອອກໄປເພື່ອລຶບຂໍ້ມູນຢ່າງມີປະສິດທິພາບ. ຕາມປົກກະຕິແລ້ວຂະບວນການນີ້ໃຊ້ເວລາ 15-20 ນາທີໃນການສ່ອງແສງ UV. ເພື່ອປັບປຸງຫຼືຂຽນຂໍ້ມູນໃຫມ່, ທໍາອິດຕ້ອງເອົາຊິບອອກຈາກຫມວດ, ລຶບພາຍໃຕ້ແສງແດດ UV, ແລະຈາກນັ້ນກໍໃສ່ໃນໂປຣແກຣມພິເສດທີ່ໃຊ້แรงดันໂປຣແກຣມສູງ (12-24 V). ຫຼັງຈາກລຶບແລ້ວ, ຈຸລັງຄວາມຊົງຈໍາທັງຫມົດຈະກັບຄືນສູ່ສະພາບທໍາອິດ ແລະສາມາດຂຽນຂໍ້ມູນໃຫມ່ໄດ້.
EPROM vs. EEPROM: ການປຽບທຽບຄຸນລັກສະນະ
| ແງ່ມຸມ | EPROM | EEPROM |
|---|---|---|
| ວິທີການລຶບລ້າງ | ແສງ UV ຜ່ານ ປ່ອງຢ້ຽມ quartz | pulse ໄຟຟ້າ |
| ໂປຣແກຣມໃຫມ່ | ຕ້ອງມີການຖອດຖອນ + ໂປຣແກຣມພາຍນອກ | ໃນຫມວດ, ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຖອດຖອນ |
| ລາຍລະອຽດ | Chip ທັງ ຫມົດ ຖືກ ລຶບລ້າງ ໃນ ເວລາ ດຽວ | ສາມາດລຶບລະດັບ byte ໄດ້ |
| ການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນ | 10–20 ປີ | 10+ ປີ |
| ງ່າຍໃນການນໍາໃຊ້ | ຊ້າໆ, ຕ້ອງໃຊ້ອຸປະກອນພາຍນອກ | ໄວຂຶ້ນ, ງ່າຍກວ່າ, ບໍ່ມີອຸປະກອນເພີ່ມເຕີມ |
ໂຄງສ້າງພາຍໃນ ແລະ ຫຼັກການເຮັດວຽກຂອງ EPROM & EEPROM
ທັງ EPROM ແລະ EEPROM ຖືກສ້າງຂຶ້ນເທິງ transistor MOSFET ປະຕູລອຍ, ຊຶ່ງໃຊ້ປະຕູປ້ອງກັນເພື່ອດັກຫຼືປ່ອຍເອເລັກໂຕຣອນ. ການມີຫຼືບໍ່ມີປະໂຫຍດທີ່ເກັບໄວ້ຈະກໍານົດວ່າຈຸລັງຄວາມຊົງຈໍາເປັນຕົວແທນຂອງເຫດຜົນ "0" ຫຼື "1".
• EPROM: ການຂຽນໂປຣແກຣມເຮັດໄດ້ໂດຍການໃຊ້ໄຟຟ້າສູງທີ່ບັງຄັບເອເລັກໂຕຣອນເຂົ້າໄປໃນປະຕູທີ່ລອຍຜ່ານການສັກຢາທີ່ຮ້ອນ. ເມື່ອຕິດຢູ່ແລ້ວ ເອເລັກໂຕຣອນເຫຼົ່ານີ້ຈະຄົງຢູ່ເປັນເວລາຫຼາຍປີ ເຮັດໃຫ້ຂໍ້ມູນບໍ່ປ່ຽນແປງ. ເພື່ອລຶບຄວາມຊົງຈໍາ, chip ຈະຖືກປ່ອຍໃຫ້ແສງແດດ ultraviolet (UV) ເຊິ່ງໃຫ້ພະລັງງານທີ່ຈໍາເປັນເພື່ອປ່ອຍເອເລັກໂຕຣອນທີ່ຕິດຢູ່ຜ່ານປ່ອງຢ້ຽມ quartz. ສິ່ງນີ້ຈະຕັ້ງຈຸລັງທັງຫມົດຄືນໃຫມ່ພ້ອມກັນ.
• EEPROM: ແທນທີ່ຈະໃຊ້ແສງສະຫວ່າງ UV, EEPROM ອາໄສ Fowler-Nordheim tunneling, ຜົນກະທົບຂອງອຸໂມງ quantum ທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ເອເລັກໂຕຣອນເຄື່ອນຍ້າຍເຂົ້າຫຼືອອກຈາກປະຕູທີ່ລອຍຢູ່ພາຍໃຕ້ທົ່ງໄຟຟ້າທີ່ຄວບຄຸມ. ກົນໄກນີ້ສະຫນັບສະຫນູນການລຶບໄຟຟ້າໂດຍກົງໃນແຜ່ນຫມວດ, ເຮັດໃຫ້ມີການປັບປຸງລະດັບແບບ byte ແລະ ໂປຣແກຣມໃຫມ່ໄດ້ໄວຂຶ້ນໂດຍບໍ່ຕ້ອງຖອດຊິບອອກ.
ข้อดีແລະข้อเสียຂອງ EEPROM ແລະ EPROM
| ແງ່ມຸມ | EEPROM | EPROM |
|---|---|---|
| ข้อดี | • ສະຫນັບສະຫນູນໂປຣແກຣມໃນຫມວດ (ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງລຶບອອກ) • ການລຶບລະດັບ Byte ສໍາລັບການປັບປຸງບາງຢ່າງ • ມີໃນລຸ້ນ serial (I²C, SPI) ແລະ parallel • ຄວາມອົດທົນສູງ (\~1 ລ້ານວົງຈອນການຂຽນ/ລຶບ) • ການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນທີ່ໄວ້ໃຈໄດ້ (10-20 ປີ) | •ບໍ່ປ່ຽນແປງພ້ອມກັບການເກັບກໍາຂໍ້ມູນດົນນານ (10-20 ປີ) • ສາມາດນໍາໃຊ້ຄືນໄດ້, ບໍ່ຄືກັບ PROM ຄັ້ງດຽວ • ມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນຍຸກທີ່ສໍາຄັນ • ເຫມາະສົມສໍາລັບການສ້າງຕົ້ນແບບ ແລະ ການພັດທະນາ |
| ຂໍ້ບົກພ່ອງ | •ລາຄາແພງກວ່າ EPROM • ຄວາມອົດທົນຈໍາກັດເມື່ອທຽບກັບ Flash ສະໄຫມໃຫມ່• ການຂຽນຊ້າກວ່າການອ່ານ • ຕາມປົກກະຕິແລ້ວຄວາມສາມາດຫນ້ອຍກວ່າ Flash | •ການລຶບລ້າງເຕັມຊິບເທົ່ານັ້ນ (ບໍ່ມີການແກ້ໄຂແບບເລືອກ) • ຕ້ອງໃຊ້ແສງ UV ແລະ ປ່ອງຢ້ຽມ quartz ເພື່ອລຶບ • ເວລາລຶບຊ້າໆ (15-20 ນາທີ) • ຕ້ອງການໂປຣແກຣມໄຟຟ້າສູງພາຍນອກ • ມີຄວາມອ່ອນແອຕໍ່ການສ່ອງແສງ UV ໂດຍບັງເອີນ |
ການນໍາໃຊ້ EPROM ແລະ EEPROM ໃນເອເລັກໂຕຣນິກ
EPROM
• ການເກັບຮັກສາ firmware ໃນ microcontrollers ທໍາອິດ: ໃຫ້ວິທີທີ່ໄວ້ວາງໃຈໄດ້ໃນການເກັບໂປຣແກຣມທີ່ຝັງໄວ້ກ່ອນ EEPROM ແລະ Flash ກາຍເປັນມາດຕະຖານ.
• ຄວາມຊົງຈໍາຂອງໂປຣແກຣມໃນຄອມພິວເຕີສ່ວນຕົວແລະຄອມພິວເຕີ: ໃຊ້ທົ່ວໄປເພື່ອເກັບໂປຣແກຣມລະບົບແລະໂປຣແກຣມ.
• ເຄື່ອງມື digital: ພົບໃນເຄື່ອງ oscilloscopes, ອຸປະກອນທົດສອບ ແລະ ອຸປະກອນວັດແທກທີ່ຕ້ອງການການເກັບຮັກສາໂປຣແກຣມທີ່ຫມັ້ນຄົງ.
• ເຄື່ອງມືການສ້າງແບບຢ່າງແລະການຝຶກອົບຮົມ: ເປັນທີ່ນິຍົມໃນສະພາບແວດລ້ອມການສຶກສາແລະການພັດທະນາ ເພາະຂໍ້ມູນສາມາດຖືກລຶບແລະຂຽນຄືນອີກຫຼາຍເທື່ອເພື່ອທົດສອບ.
ອີໂປຣມ
• ການເກັບຮັກສາ BIOS / UEFI ໃນຄອມພິວເຕີ: ມີຄໍາແນະນໍາການເລີ່ມຕົ້ນລະບົບທີ່ສໍາຄັນແລະສາມາດປັບປຸງໄດ້ໂດຍບໍ່ຕ້ອງປ່ຽນຮາດແວຣ໌.
• ຂໍ້ມູນການປະເມີນຄ່າຂອງ sensor: ໃຊ້ໃນລະບົບລົດໃຫຍ່ ແລະ ອຸດສະຫະກໍາ ເພື່ອເກັບຮັກສາຄ່າການປັບປຸງຢ່າງລະອຽດເຊິ່ງຈໍາເປັນຕ້ອງມີການປັບປຸງເປັນບາງຄັ້ງ.
• ອຸປະກອນໂທລະຄົມມະນາຄົມ: ສາມາດຕັ້ງຄ່າໃຫມ່ຂອງ modem, router ແລະ base station ໂດຍບໍ່ຕ້ອງປ່ຽນຊິບ.
• Smartcards ແລະ RFID tags: ໃຫ້ຄວາມຊົງຈໍາທີ່ປອດໄພ ແລະ ບໍ່ປ່ຽນແປງສໍາລັບການຢືນຢັນ, ການຈັດການເອກະລັກ ແລະ ຂໍ້ມູນການແລກປ່ຽນ.
ອຸປະກອນການແພດ: ເກັບຂໍ້ມູນສະເພາະເຈາະຈົງຂອງຄົນເຈັບ ແລະ ຂໍ້ມູນການຕັ້ງຄ່າໃນເຄື່ອງມືເຊັ່ນ ເຄື່ອງກວດກລຸຍໂກສ ຫຼື ເຄື່ອງຫຼິ້ນຫົວໃຈ.
PROM vs. EPROM vs. EEPROM
| ລັກສະນະ | PROM | EPROM | EEPROM |
|---|---|---|---|
| ໂປຣແກຣມ | ພຽງ ເທື່ອ ດຽວ: ຂໍ້ ມູນ ຖືກ ຂຽນ ຢ່າງ ຖາວອນ ໃນ ລະຫວ່າງ ການ ຂຽນ ໂປຣແກຣມ ເທື່ອ ທໍາ ອິດ. | ຂຽນຄືນໄດ້ດ້ວຍແສງ UV: ຕ້ອງຖອດຖອນແລະຕັ້ງໂປຣແກຣມໃຫມ່ດ້ວຍໄຟຟ້າສູງ. | ສາມາດຂຽນຄືນໄດ້ດ້ວຍໄຟຟ້າ: ສະຫນັບສະຫນູນການຂຽນໂປຣແກຣມໃຫມ່ໂດຍກົງໃນແຜ່ນຫມວດ. |
| ການລຶບລ້າງ | ເປັນ ໄປ ບໍ່ ໄດ້: ເມື່ອ ຂຽນ ແລ້ວ, ຂໍ້ ມູນ ຈະ ບໍ່ ສາມາດ ປ່ຽນ ແປງ ຫລື ລຶບ ອອກ ໄດ້. | ການລຶບລ້າງທົ່ວຊິບ: ຕ້ອງລຶບຄວາມຊົງຈໍາທັງຫມົດໂດຍໃຊ້ການສ່ອງ UV ຜ່ານປ່ອງຢ້ຽມ quartz. | ການລຶບເລືອກ: ສາມາດລຶບໃນລະດັບ byte ຫຼື ທັງ chip ໄດ້ຕາມຄວາມຈໍາເປັນ. |
| ການນໍາໃຊ້ຄືນ | ບໍ່: ບໍ່ສາມາດນໍາໃຊ້ຄືນໄດ້ເມື່ອຖືກໂປຣແກຣມແລ້ວ. | ແມ່ນ: ຖືກລຶບແລະຂຽນຄືນຫຼາຍເທື່ອ (ແຕ່ຈໍາກັດ). | ແມ່ນ: ມີຄວາມປັບປ່ຽນສູງພ້ອມກັບການປັບປຸງເລື້ອຍໆ. |
| ຄວາມອົດທົນ | 1 ວົງຈອນ (ຂຽນເທື່ອດຽວ). | ປະມານ 100-1,000 ວົງຈອນກ່ອນອຸປະກອນຈະຫມົດໄປ. | ປະມານ 1,000,000 ວົງຈອນ, ສູງກວ່າ EPROM. |
| ການນໍາໃຊ້ໃນຫມວດ | ບໍ່: ຕ້ອງຖືກຕັ້ງໂປຣແກຣມກ່ອນການຕິດຕັ້ງ. | ບໍ່: ຕ້ອງຖືກລຶບອອກເພື່ອລຶບລ້າງ UV ແລະ ໂປຣແກຣມໃຫມ່. | ແມ່ນ: ສະຫນັບສະຫນູນການປັບປຸງໃນຫມວດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບລະບົບທີ່ທັນສະໄຫມ. |
| ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ | Low: ລາຄາ ແພງ ຫລາຍ ຕໍ່ bit. | ພໍດີ: ລາຄາແພງກວ່າ PROM ແຕ່ມີລາຄາແພງໃນຍຸກຂອງມັນ. | ສູງກວ່າ per bit: ລາຄາແພງກວ່າ PROM / EPROM, ແຕ່ໃຫ້ການປັບປ່ຽນທີ່ດີກວ່າ. |
EPROM vs. EEPROM vs. Flash Memory
| ລັກສະນະ | EPROM | EEPROM | ຄວາມ ຊົງ ຈໍາ Flash |
|---|---|---|---|
| ວິທີການລຶບລ້າງ | ແສງ UV ຜ່ານ ປ່ອງຢ້ຽມ quartz | ໄຟຟ້າ, ລະດັບ byte | ໄຟຟ້າ, block/page-level |
| ໂປຣແກຣມ | ຕ້ອງຖອດຖອນ + ໂປຣແກຣມໄຟຟ້າສູງ | ໃນຫມວດ, ໂປຣແກຣມໄຟຟ້າ | ໃນຫມວດ, ການປັບປຸງໄຟຟ້າ |
| ການນໍາໃຊ້ຄືນ | ແມ່ນ ແລ້ວ, ແຕ່ ຊ້າໆ ແລະ ບໍ່ ສະ ດວກ | ແມ່ນແລ້ວ, ສາມາດປັບປຸງເລື້ອຍໆ | ແມ່ນແລ້ວ, ຖືກປັບປຸງໃຫ້ດີສໍາລັບການຂຽນຄືນຂະຫນາດໃຫຍ່ |
| ຄວາມອົດທົນ | \~100–1,000 ວົງຈອນ | \~1,000,000 ວົງຈອນ | \~10,000–100,000 ວົງຈອນ (ຂຶ້ນກັບປະເພດ) |
| ຄວາມໄວ | ຊ້າຫຼາຍ (UV ລຶບ: 15–20 ນາທີ) | ພໍດີ (ຂຽນຊ້າກວ່າການອ່ານ) | ໄວ (ການດໍາເນີນການແບບ block, throughput ສູງກວ່າ) |
| ຄວາມສາມາດ | ນ້ອຍ (KB–MB range) | ຂະຫນາດນ້ອຍ ຫາ ກາງ (KB–MB range) | ສູງຫຼາຍ (MB–TB range) |
| ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ Bit | ພໍດີ (ປະຫວັດສາດ) | ສູງກວ່າ | ຕ່ໍາ (ມາດຕະຖານການເກັບຮັກສາມະຫາສານ) |
| ການໃຊ້ທົ່ວໄປ | ລະບົບເກົ່າ, ການສ້າງແບບຢ່າງ, ການສຶກສາ | BIOS, ຂໍ້ມູນການສອບເສັງ, ອຸປະກອນທີ່ປອດໄພ | USB drives, SSDs, SD cards, smartphone, microcontrollers |
ສະຫລຸບ
EPROM ແລະ EEPROM ເປັນ ຈຸດ ສໍາຄັນ ໃນ ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ ຄວາມ ຊົງ ຈໍາ, ແຕ່ ລະ ຢ່າງ ເປັນ ຂົວ ໄປ ຫາ ແກ້ ໄຂ ການ ເກັບ ກໍາ ຂໍ້ ມູນ ທີ່ ກ້າວຫນ້າ ເຊັ່ນ Flash. EPROM ໄດ້ ສະ ເຫນີ ວິທີ ທີ່ ໃຊ້ ການ ໄດ້ ໃນ ການ ຈັດ ໂຄງການ ອຸປະກອນ ໃຫມ່ ໃນ ສະ ໄຫມ ຂອງ ມັນ, ໃນ ຂະນະ ທີ່ EEPROM ໄດ້ ແນະນໍາ ການ ປ່ຽນ ແປງ ໃນ ຫມວດ ແລະ ການ ເລືອກ ຕັ້ງ. ໃນ ປະຈຸ ບັນ ນີ້, EEPROM ຍັງ ກ່ຽວຂ້ອງ ກັບ ການ ເກັບ ກໍາ ຂໍ້ ມູນ ນ້ອຍໆ ແຕ່ ສໍາຄັນ, ໃນ ຂະນະ ທີ່ Flash ຄວບ ຄຸມ ຄວາມ ຕ້ອງການ ການ ເກັບ ກໍາ ຂໍ້ ມູນ ຂະຫນາດ ໃຫຍ່. ໂດຍການສົມທຽບປະເພດຄວາມຊົງຈໍາເຫຼົ່ານີ້, ທ່ານຈະເຫັນພາບທີ່ແຈ່ມແຈ້ງວ່າເຕັກໂນໂລຊີໄດ້ກ້າວຫນ້າແນວໃດ ແລະເປັນຫຍັງ EEPROM ຈຶ່ງຍັງພົບເຫັນບ່ອນຂອງມັນໃນເຄື່ອງເອເລັກໂຕຣນິກສະໄຫມໃຫມ່.
ຄໍາຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ [FAQ]
ເປັນຫຍັງ EEPROM ຈຶ່ງດີກວ່າ EPROM?
EEPROM ດີກວ່າເພາະມັນອະນຸຍາດໃຫ້ມີການຕັ້ງໂປຣແກຣມໄຟຟ້າໃນຫມວດ, ສະຫນັບສະຫນູນການລຶບລ້າງໃນລະດັບ byte ແລະບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີແສງແດດ UV ຫຼື chip. ສິ່ງນີ້ເຮັດໃຫ້ມັນງ່າຍແລະສະດວກກວ່າ EPROM.
ຄວາມຊົງຈໍາ Flash ຄືກັນກັບ EEPROM ບໍ?
ບໍ່. ຄວາມຊົງຈໍາ Flash ແມ່ນອີງໃສ່ເຕັກໂນໂລຊີ EEPROM ແຕ່ຖືກປັບປຸງໃຫ້ດີທີ່ສຸດສໍາລັບຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ ແລະ ການລຶບລ້າງໃນລະດັບ block/page. EEPROM ອະນຸຍາດໃຫ້ມີການລຶບລ້າງໃນລະດັບ byte, ໃນຂະນະທີ່ Flash ໄວຂຶ້ນແລະລາຄາຖືກຕໍ່bit, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການເກັບຮັກສາມະຫາສານ.
EEPROM ແລະ EPROM ສາມາດເກັບຂໍ້ມູນໄວ້ໄດ້ດົນປານໃດ?
ຕາມປົກກະຕິແລ້ວທັງສອງສາມາດເກັບຂໍ້ມູນໄວ້ໄດ້ 10-20 ປີ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມອົດທົນຂອງ EPROM ຈໍາກັດພຽງແຕ່ ~100-1,000 ວົງຈອນ, ໃນຂະນະທີ່ EEPROM ສາມາດໃຊ້ໄດ້ເຖິງ ~ 1,000,000 ວົງຈອນ.
ເປັນຫຍັງ EPROM ຈຶ່ງຕ້ອງມີປ່ອງຢ້ຽມ quartz?
ປ່ອງຢ້ຽມ quartz ປ່ອຍ ໃຫ້ ແສງ UV ເຂົ້າ ໄປ ໃນ chip ເພື່ອ ລຶບ charge ທີ່ ເກັບ ໄວ້ ຈາກ ປະຕູ ທີ່ ລອຍ ຢູ່. ຖ້າບໍ່ມີປ່ອງຢ້ຽມທີ່ແຈ່ມແຈ້ງນີ້, ການລຶບລ້າງຈະເປັນໄປບໍ່ໄດ້.
EEPROM ຍັງໃຊ້ຢູ່ໃສໃນທຸກມື້ນີ້?
EEPROM ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ BIOS / UEFI firmware, sensor calibration, RFID tags, smartcards, ອຸປະກອນການແພດ ແລະ ອຸປະກອນອຸດສະຫະກໍາທີ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີການປັບປຸງທາງເລືອກ.