ການປ้องกันການລີບເມັນແລະຄຸອນ
ການກວດສອບທາງກາງກາງແລະການບັນທຶກ
ການກວດສອບການບໍລິການອ່ານໄຟຟ້າ
ອີເມວບໍລິກາ
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
ຂໍບິດລາຄາ
(ຈະສົ່ງໃນມື້ອນ)
*ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
5.0 / 5.0
- (94 ការវាយតម្លៃ)
IPP041N12N3GXKSA1
ບົດສະແດງສິນຄ້າ
12803539
ເລະທີ່ສ່ວນ
IPP041N12N3GXKSA1-DGຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
ຄໍາອະທິບາຍ
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3ສິນຄ້າ
200457 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
ຊໍ້າຊັດ ແລະ ສຽງສອບຖາມ
ការធានា និងការសងប្រាក់
ວິທີການສັ່ງອາຫານ
ການຂາຍສົ່ງເສົ້ງ & ການສົ່ງສິນ
ການແກ້ໄຂຄຸນນະສົມບູນ
Hຸນຢືນຢັນຄຸນທັງມືອການປະກັນຄຸນລະດັບ 365 - ບາງສ່ວນທຸກສ່ວນຖືກຮັບປະກັນແວທຸກສ່ວນ
ការសងប្រាក់ឬប្តូរ 90 ថ្ងៃ - ផ្នែកខូច? គ្មានការលំបាក។
ອານຸຍາດສັງກະລັບ, ສັ່ງດຽວນີ້ - ຮັບພວກອະພາບພາຍໃນບໍ່ກັງວົນ.
การจัดส่งทั่วโลก & การบรรจุภัณฑ์ปลอดภัย
ການສົ່ງທ່ອງໃໝ່ລຸກທົ່ວໂລກໃນ 3-5 ວັນທຸລະກິເຊດ
ការវាស់កញ្ចប់សម្រាប់ការពារមានសមត្ថភាព 100% ESD
ການຕິດຕາມຢ່າງເວລາທຸກການສັ່ງຊື້
ການຈ່າຍເງິນທີ່ປອດໄພ ແລະຍັງຄວາມຍຸດຕິທັມ
ບັດເຄດິດ, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, ການຮັບຫຼັກການໂອນເງິນຜ່ານທາງບທລະສັບ(ແບບ T/T) ແລະອື່ນໆ
ການຊາຍລະຫັດການຊຳລະທຸລະກິດທັງຫມົດສໍາລັບຄວາມປອດໄພ
IPP041N12N3GXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
ແທົດແປລ້າ, FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP041
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
ບັນທຶກ HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
ປະກົດການປະເມູນ
ຂໍ້ຄວາມການລາຍງານ
Please enter your review message.
ກະລຸນາແຈ້ງເຫັນຄວາມຈົນໃຈແລະບໍ່ຄວນແຈ້ງຄວາມຄົບຄືນທາງທາງບັນດາ.
ຄຳຖານທົວເວົ້າບໍ?
ພາບລັບສຳຄັນຂອງ MOSFET OptiMOS™ N-Channel ของ Infineon (IPP041N12N3GXKSA1) ແມ່ນຫຍັງ?
MOSFET ນີ້ສະຫຼຸບສາມາດຮັບການຮັບວິດແລະການກະທົບລອດກັບກວດສະຫຼຸບ 120V ແລະການກະທົບແລທີ່ຕິດຕໍ່ກັນ 120A ທີ່ໃນອາຍຸ 25°C ມີ Rds On ໜ້ອຍທີ່ 4.1mΩ, ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສົມສຳລັບການປົກປ່ອຍລະບົບວຽກສູງ. ມັນຖືກອອກແບບດ້ວຍກະປັກເກັບ TO-220-3 ເພື່ອງໃຊ້ງານງ່າຍກວ່າແລະມີຄຸນນະພາບເພູມໂຫຍເພີ່ມພາຍໃນການປົກປ່ອຍການທົດລອງການບໍລິການ.
MOSFET 120V 120A ນີ້ເຫັນອີກການນຳໃຊ້ໃນອະເທັກສະໃດແບບ?
MOSFET ນີ້ແມ່ນມີປະໂຫຍດໃນການເຮັດວຽກກັບກະທົບພະລັງງານ, ເຄື່ອງຄັດຈະຕໍ່, ແລະລະບົບການປົກປ່ອຍກະທົບສູງເພື່ອການຈັດການພະລັງງານຢ່າງມີປະສິດທິພາບ ແລະການຮັກສາອາກາດ. ການອອກແບບທີ່ແຂງແກ່ນີ້ຮອງຮັກກັນຄວາມທຸກຕໍ່ການບໍລິການອຸປະກອນອິເລກຕຣອນລະບົບທີ່ຄວນການທົນທານ.
MOSFET ແນວ N-Channel ນີ້ມີຄວາມເຊື່ອມຕໍ່ກັບອິເລກຕຣອນທີ່ມີຢູ່ຢ່າງຫຼາຍຫຼືບໍ?
ແມ່ນ, IPP041N12N3GXKSA1 ກົດຄ່ອຍກັບຮວມມກັບວິວທະຍາການຂອງກະຕຸ້ນງານໄດ້ງ່າຍ ແລະມີຂອງຂອງກເຕັກສະກັບ 4V ເຮັດໃຫ້ເຫັນວ່າເປັນໄປຕໍ່ກັບການອອກແບບກະກະຍານຂອງລະບົບພາລະໃຈແລະລະບົບອຳພັນ.
ມະນຸຍາການໃດທີ່ມາກກັບການເລືອກເຄື່ອງ MOSFET series OptiMOS™ ຂອງ Infineon?
MOSFET OptiMOS™ ມັກຮູ້ຈັກສຳລັບ Rds On ທໍານອງຕ່ຳ, ລະດັບມິຕຕະຫຼາຍສູງ, ແລະສະຫຼຸບພາລະກຳພາລແຜນອິເລກຕຣອນທີ່ດີ, ເຮັດໃຫ້ການຫຼຸດການສົດກະພະລັງງານແລະພັດທະນາຄວາມໝັນໃຈລະບົບທົດລອງໃຫ້ດີຂຶ້ນ.
ການອະນຸຍາດແລະການສະໜອງການສະໜອງສິນຄ້າ MOSFET ເຮັດວຽກແນວໃດ?
ໃນຖານະການມີການລະບົບວຽກງານຂອງ RoHS3 ແລະພະລັງງານທີ່ມີຄຸນນະພາບ, ນິ້ມວກກັບການສະໜອງບໍລິສັດ ແລະຄຸນນະພາບປະກັນ. ມັນຖືກສ່ງອອກແບບໃນການຄຸມກັບກະກະຍາຍຕົວເອງ ແພສຣຊຸກມື້ໃກ້ ເພື່ອໃຫ້ການມາຮອດໄວກວ່າສຳລັບໂຄງການຂອງທ່ານ.
ການແກ້ໄຂຄຸນນະສົມບູນ (QC)
DiGi ຮັບປະກັນຄຸນນະພາຍະແລະຄວາມມັນຄົງຂອງອະກະສາລະແບບໄຟລເກົ່າທຸກອັນໂດຍການກວດສອບມືອາຊີບແລະການສຳລວນຕົວຢ່າງແບບຂອງຄົນຊາດ, ຮັບປະກັນການກະກຽມຜະລິດທີ່ໝັນໃຈ, ການກະທົບທຽບທັນສະໄຫມກັບການລົງທຶນດ້ວຍຄຸນນະພາຍະດີ, ແລະການປະກອບກັບຂໍ້ກໍາຫນ້າທັງໝົດ, ໃຫ້ກັບລູກຄ້າພາຍໃນການຫຼຸດຄວາມສຽງຂອງສະກຸບພາບການສູງເກີນໄປ, ແລະສາມາດນານການໃຊ້ອະກະສາລະແບບໃນກະບວນການຜະລິດໄດ້ຢ່າງໝັນໃຈ.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
